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北京双电测数字式四探针测试仪

北京双电测数字式四探针测试仪

型    号: SN/ST2263
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北京双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测-改进形范德堡测量方法测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析。

  • 产品描述

双电测数字式四探针测试仪  方块电阻率仪

型号:SN/ST2263

北京双电测数字式四探针测试仪概述

ST2263型是运用直线或方形四探针双位测-改进形范德堡测量方法测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响,它与单电测直线或方形四探针相比,大大提高精确度,特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。

北京双电测数字式四探针测试仪仪器成套组成:由主机、选配的四探针探头、测试台以及PC软件等部分组成。

主机主要由精密恒流源、高分辨率ADC、嵌入式单片机系统组成,USB通讯接口。仪器主机所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘和数码开关输入;具有零位、满度自校功能;测试功能可自动/手动方式;仪器操作可由配套软件在PC机上操作完成,也可脱PC机由四探针仪器面板上独立操作完成。测试结果数据由主机数码管直接显示,也可连机由软件界面同步显示、分析、保存和打印!

探头选配:根据不同材料特性需要,探头可有多款选配。有高耐磨碳化钨探针探头,以测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻;也有球形镀金铜合金探针探头,可测柔性材料导电薄膜、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜(ITO膜)或纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻。换上四端子测试夹具,还可对电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻进行测量。

测试台选配:一般四探针法测试电阻率/方阻配SZT-A或SZT-B或SZT-C或SZT-F型测试台。详见《不同半导体材料电阻率/方阻测试的四探针探头和测试台选配方法》。

仪器具有测量精度高、灵敏度高、稳定性好、智能化程度高、测量简便、结构紧凑、使用方便等特点。

仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试,特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。

基本技术参数

3.1  测量范围

电阻率:1×10-4~2×105 Ω-cm,分辨率:1×10-5~1×102 Ω-cm

方 阻:5×10-4~2×105 Ω/□,分辨率:5×10-5~1×102 Ω/□

电 阻:1×10-5~2×105 Ω   ,分辨率:1×10-6~1×102 Ω

3.2  材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定)

直    径:SZT-A圆测试台直接测试方式 Φ15~130mm,手持方式不限

SZT-B/C/F方测试台直接测试方式180mm×180mm,手持方式不限.

长(高)度:测试台直接测试方式 H≤100mm,    手持方式不限.

测量方位: 轴向、径向均可

3.3.  4-1/2 位数字电压表:

(1)量程: 20.00mV~2000mV

(2)误差:±0.1%读数±2 字

3.4  数控恒流源

(1)量程:0.1μA,1μA,10μA,100?A,1mA,10mA,100mA,1A

(2)误差:±0.1%读数±2 字

3.5  四探针探头(选配其一或加配全部)

(1)碳化钨探针:Φ0.5mm,直线探针间距1.0mm,探针压力: 0~2kg 可调

(2)薄膜方阻探针:Φ0.7mm,直线或方形探针间距2.0mm,探针压力: 0~0.6kg 可调

3.6 电源

输入: AC 220V±10% ,50Hz  功        耗:<20W

3.7 外形尺寸:

主机  220mm(长)×245 mm(宽)×100mm(高)

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